atomic layer deposition osadzanie warstw atomowych ALD

P-300S

Průmyslový ALD reaktor

Průmyslový ALD reaktor pro podklady 300mm pro polovodičovou výrobu

Systém PICOSUN® P-300S ALD je speciálně navržen pro výrobu zařízení MEMS, tiskových hlav, senzorů a pamětí

HLAVNÍ VLASTNOSTI:

  • Unikátní řešení zajišťující nejvyšší čistotu procesu a uniformitu vrstev
  • Nezávislé přívody prekurzorů do komory
  • Univerzální komora pro všechny typy substrátů
  • Rovnoměrná teplota v celém objemu reakční komory

TYPICKÉ PODKLADY:

  • Jednotlivé substráty o průměru 300 mm
  • Porézní, skrz-porézní substráty a substráty s vysokým HAR (až 1:2500)

TEPLOTA PROCESU

50 – 500 °C

TYPICKÉ PROCESY

  • Výrobní průmyslové procesy
  • Ne-uniformita vrstev mezi podklady v šarži 1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49 bodu, 5mm EE)
  • Oxidy: Al2O3, TiO2, SiO2, Ta205, HfO2, ZnO, ZrO2
  • Nitridy: TiN, AlN
  • Kovy: Pt, Ir, Ru

VKLÁDANÍ SUBSTRÁTU

  • Přechodová komora load-lock
  • Systém automatického vkládání substrátu pomocí vakuového klastrového systému Picoplatform ™ 200 nebo Picoplatform ™ 300
  • Moznost vkládaní substrátů v inertní atmosféře N2

PREKURZORY

  • Do 12 zdrojů prekurzorů (tekuté, plynné, pevné, ozon)
  • 6 nezávislých přívodů do komory
  • Senzory objemu prekurzorů